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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUM90N08-7M6P-E3
SUM90N08-7M6P-E3 PDF预览

SUM90N08-7M6P-E3

更新时间： 2024-11-05 06:14:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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6页 119K
描述
SUM90N08-7m6P

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SUM90N08-7M6P-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：125 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A
最大漏极电流 (ID)：90 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUM90N08-7M6P-E3 数据手册

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SUM90N08-7m6P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETS  
V(BR)DSS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
175 °C Junction Temperature  
100 % Rg and UIS Tested  
90d  
0.0076 at VGS = 10 V  
75  
58  
RoHS  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
Power Supply  
- Secondary Synchronous Rectification  
• Industrial  
D
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
S
Ordering Information: SUM90N08-7m6P-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
75  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
90d  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)  
ID  
81  
200  
50  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Single Avalanche Energya  
EAS  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
125  
mJ  
W
150b  
3.75  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
A = 25 °Cc  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)c  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
RthJA  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case (Drain)  
1
Notes:  
a. Duty cycle ≤ 1 %.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
d. Package limited.  
Document Number: 69578  
S-80799-Rev. B, 14-Apr-08  
www.vishay.com  
1
123456

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与SUM90N08-7M6P-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM90N10-8M2P VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SUM90P10-19L VISHAY

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 		P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SUM90P10-19L_08 VISHAY

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 		P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SUM90P10-19L-E3 VISHAY

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 		P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SUM90UF SSDI

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 		400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM90UFSMS SSDI

获取价格

 		400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM90UFSMSS SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
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