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SUF4007

更新时间： 2024-11-02 11:49:19
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海湾 - GULFSEMI 二极管IOT
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2页 70K
描述
HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 1.0A

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SUF4007 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

SUF4007 数据手册

 浏览型号SUF4007的Datasheet PDF文件第2页 
SUF4001 THRU SUF4007  
HIGH EFFICIENT  
PLASTIC SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE:50 TO 1000V  
CURRENT: 1.0A  
DO -41\DO-204AL  
FEATURE  
Low power loss  
High surge capability  
Ultra-fast recovery time for high efficiency  
High temperature soldering guaranteed  
250°C/10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension  
MECHANICAL DATA  
Terminal:Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case:Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity:color band denotes cathode  
Mounting position:any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
SUF SUF SUF SUF SUF SUF SUF  
units  
SYMBOL  
4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
50  
35  
50  
100  
V
V
V
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800 1000  
560 700  
800 1000  
70  
Maximum DC blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified  
Current 3/8”lead length at Ta =55°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
Maximum Forward Voltage at Forward current  
1A Peak  
If(av)  
Ifsm  
Vf  
1.0  
30.0  
1.4  
A
A
1.0  
1.7  
V
10.0  
µA  
µA  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =100°C  
Ir  
Trr  
100.0  
50  
15  
50  
75  
12  
60  
nS  
pF  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 2)  
(Note 3)  
Cj  
R(ja)  
Tstg,Tj  
°C/W  
°C  
Storage and Operating Junction Temperature  
-50 to +125  
Note:  
1. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted  
Rev.A4  
www.gulfsemi.com  
12

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