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SUF620EF

更新时间: 2024-11-01 22:21:11
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK /
页数 文件大小 规格书
4页 317K
描述
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

SUF620EF 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

SUF620EF 数据手册

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SUF620EF  
Semiconductor  
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET  
Description  
High speed switching application.  
Analog switch application.  
Features  
Low threshold voltage  
Two STJ828 Chips in SOT-563F Package.  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
SUF620EF  
X
SOT-563F  
Outline Dimensions  
unit : mm  
3
4
2
1
6
Q2  
Q1  
5
PIN Connections  
1. Source 1  
2. Gate 1  
3. Drain 2  
4. Source 2  
5. Gate 2  
6. Drain1  
KST-J016-000  
1

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