生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-213AB |
包装说明: | O-PELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-213AB | JESD-30 代码: | O-PELF-R2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -50 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 400 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUFA4005 | SEMIKRON |
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Ultrafast Avalanche Diode | |
SUFA4006 | SEMIKRON |
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Ultrafast Avalanche Diode | |
SUFA4007 | SEMIKRON |
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Ultrafast Avalanche Diode | |
SUG01-P01 | EVERLIGHT |
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High Power Lamp | |
SUG80050E | VISHAY |
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N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUG80050E-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, | |
SUG90090E | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUGC10AH | DGNJDZ |
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1 Amp Super Fast Recovery | |
SUGC10BH | DGNJDZ |
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1 Amp Super Fast Recovery | |
SUGC10CH | DGNJDZ |
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1 Amp Super Fast Recovery |