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SUF520J

更新时间： 2024-11-27 22:21:11

品牌	Logo	应用领域
韩国光电子 - AUK		/
页数	文件大小	规格书
4页	308K
描述
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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SUF520J 技术参数

SUF520J

Semiconductor

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Description

• High speed switching application.

• Analog switch application.

Features

• 2.5V Gate drive.

• Low threshold voltage : Vth = 0.5~1.5V.

• Two STK1828 Chips in SOT-363 Package.

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SUF520J

SOT-363

Outline Dimensions

unit : mm

2.1 BSC

1.25 BSC

PIN Connections

1. Source 1

2. Gate 1

3. Drain 2

4. Source 2

5. Gate 2

6. Drain1

0.25 Min.

KST-6030-000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUF5400	GULFSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 3.0A
SUF5401	GULFSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 3.0A
SUF5402	GULFSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 3.0A
SUF5404	GULFSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 3.0A
SUF5406	GULFSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 3.0A
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SUF5408	GULFSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 3.0A
SUF-6000	SIRENZA	获取价格	2-16 GHz Broadband pHEMT Amplifier
SUF620EF	AUK	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SUF621EF	AUK	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode MOSFET