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SUD50N02-11P

更新时间： 2024-11-29 06:14:55

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	44K
描述
N-Channel 20-V (D-S) 175℃ MOSFET

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SUD50N02-11P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	38 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUD50N02-11P 数据手册

SUD50N02-11P

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D 175_C Junction Temperature

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^a

D PWM Optimized for High Efficiency

APPLICATIONS

0.011 @ V = 10 V

0.020 @ V = 4.5 V

13.5

D High-Side Synchronous Buck DC/DC

Conversion

- Desktop

- Server

TO-252

Drain Connected to Tab

Top View

Order Number:

SUD50N02-11P

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

Continuous Drain Current

T = 100_C

Pulsed Drain Current

100

4.1

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

6.25

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

Steady State

_C/W

Maximum Junction-to-Case

3.2

3.9

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

b. Limited by package

Document Number: 72094

S-22453—Rev. A, 20-Jan-03

www.vishay.com

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