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SUD50N03-10BP

更新时间： 2024-11-29 20:32:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SUD50N03-10BP 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.88Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：8.3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SUD50N03-10BP 数据手册

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SUD50N03-10BP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM Optimized  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 175_C Maximum Junction Temperature  
D 100% Rg Tested  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
0.010 @ V = 10 V  
20  
18  
GS  
30  
0.014 @ V = 4.5 V  
GS  
D
TO-252  
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
S
Ordering Information: SUD50N03-10BP  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
"20  
20  
DS  
V
V
GS  
T
= 25_C  
= 100_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
A
14  
A
Pulsed Drain Current  
I
100  
20  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
b
T
T
= 25_C  
= 25_C  
71  
C
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
a
8.3  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
15  
40  
18  
50  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
1.75  
2.1  
thJC  
Notes:  
a. Surface mounted on 1” x 1” FR4 Board, t v 10 sec.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
Document Number: 71227  
S-31724—Rev. B, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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SUD50N03-10BP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUD50N03-10 VISHAY

完全替代

 N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET

与SUD50N03-10BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUD50N03-10BP-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUD50N03-10BP-T4-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SUD50N03-10CP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET PWM Optimized
SUD50N03-10CP-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SUD50N03-10CP-T4 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SUD50N03-10CP-T4-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUD50N03-10P VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SUD50N03-10P FREESCALE

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 		N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
SUD50N03-10P-E3 VISHAY

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