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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUD50N03-10AP
SUD50N03-10AP PDF预览

SUD50N03-10AP

更新时间： 2024-11-28 22:17:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 81K
描述
N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

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SUD50N03-10AP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：71 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SUD50N03-10AP 数据手册

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SUD50N03-10AP  
New Product  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM Optimized  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
0.010 @ V = 10 V  
20  
18  
GS  
30  
0.014 @ V = 4.5 V  
GS  
D
TO-252  
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
Order Number:  
SUD50N03-10AP  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
"20  
20  
DS  
V
V
GS  
T
= 25_C  
= 100_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
A
14  
A
Pulsed Drain Current  
I
100  
20  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
b
T
T
= 25_C  
= 25_C  
71  
C
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
a
8.3  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
15  
40  
18  
50  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJC  
_
C/W  
Maximum Junction-to-Case  
Notes:  
R
1.75  
2.1  
a. Surface mounted on 1” x 1” FR4 Board, t v 10 sec.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
Document Number: 71134  
S-99628—Rev. A, 10-Jan-00  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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