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SUD50N03-07AP

更新时间： 2024-11-29 08:58:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	47K
描述
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

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SUD50N03-07AP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	8.3 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUD50N03-07AP 数据手册

SUD50N03-07AP

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^{a, b}

0.007 @ V = 10 V

0.010 @ V = 4.5 V

TO-252

Drain Connected to Tab

Top View

Order Number:

SUD50N03-07AP

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 100_C

a, b

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

100

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

Maximum Power Dissipation

a, b

8.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Junction-to-Ambient

thJA

thJC

Steady State

_C/W

Junction-to-Case

1.4

1.7

Notes

a. Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.

b. t v 10 sec.

c. Based on maximum allowable Junction Temperature. Package limitation current is 50 A.

Document Number: 71148

S-31271—Rev. C, 16-Jun-03

www.vishay.com

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