SUD50N03-07

更新时间： 2024-11-28 22:17:47

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	61K
描述
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

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SUD50N03-07 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUD50N03-07 数据手册

SUD50N03-07

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 175_C Maximum Junction Temperature

D 100% R_gTested

0.007 @ V = 10 V

0.010 @ V = 4.5 V

TO-252

Drain Connected to Tab

Top View

Ordering Information:

N-Channel MOSFET

SUD50N03-07

SUD50N03-07—E3 ( Lead Free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 100_C

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

100

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

136

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

C/W

Maximum Junction-to-Case

0.85

1.1

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70767

S-40272—Rev. E, 23-Feb-04

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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