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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STSJ100NHS3LL
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STSJ100NHS3LL

更新时间： 2024-11-27 03:26:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 294K
描述
N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky

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STSJ100NHS3LL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.0057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STSJ100NHS3LL 数据手册

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STSJ100NHS3LL  
N-channel 30V - 0.0032Ω - 20A - PowerSO-8™  
STripFET™III Power MOSFET plus monolithic schottky  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STSJ100NHS3LL  
30V  
0.0042Ω  
20A(1)  
1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb  
■ Optimal R  
x Qg trade-off @ 4.5V  
DS(on)  
■ Reduced switching losses  
■ Reduced conduction losses  
PowerSO-8  
■ Improved junction-case thermal resistance  
Description  
This product utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology  
and a propriertary process for integrating a  
monolithic scottky diode. The new Power  
MOSFET is optimized for the most demanding  
synchronous switch function in DC-DC converter  
for Computer and Telecom.  
Internal schematic diagram  
Applications  
■ Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STSJ100NHS3LL  
100HS3L-  
PowerSO-8  
Tape & reel  
July 2006  
Rev 3  
1/12  
www.st.com  
12  
1234567...12

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