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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STSJ25NF3LL
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STSJ25NF3LL

更新时间： 2024-01-31 19:30:44
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
8页 264K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.009ohm - 25A PowerSO-8⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STSJ25NF3LL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
Base Number Matches：1

STSJ25NF3LL 数据手册

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STSJ25NF3LL  
N-CHANNEL 30V - 0.009Ω - 25A PowerSO-8™  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STSJ25NF3LL  
30 V  
< 0.011 Ω  
25 A  
■
IMPROVED JUNCTION-CASE THERMAL  
RESISTANCE  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.009Ω  
DS  
TYPICAL Q = 21 nC  
g
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
PowerSO-8  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature Size™”  
strip-based process. This silicon, housed in thermal-  
ly improved SO-8 package, exhibits optimal on-re-  
sistance versus gate charge trade-off plus lower  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
R
thj-c  
.
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS FOR MOBILE PCs  
DRAIN CONTACT ALSO ON THE BACKSIDE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 16  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C (*)  
25  
12  
16  
A
A
A
C
Drain Current (continuous) at T = 25°C (#)  
A
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
100  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
W
W
70  
3
C
Total Dissipation at T = 25°C (#)  
A
(*)Value limited by wires bonding  
(●) Pulse width limited by safe operating area  
March 2002  
1/8  
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STSJ25NF3LL 替代型号

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