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STSJ2NM60

更新时间： 2024-09-27 22:05:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 226K
描述
N-CHANNEL 600V - 2.8ohm - 2A PowerSO-8 Zener-Protected MDmesh⑩ POWER MOSFET

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STSJ2NM60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.37 A
最大漏极电流 (ID)：0.37 A最大漏源导通电阻：3.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STSJ2NM60 数据手册

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STSJ2NM60  
N-CHANNEL 600V - 2.8Ω - 2A PowerSO-8  
Zener-Protected MDmesh™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STSJ2NM60  
600 V  
< 3.2 Ω  
2 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 2.8 Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
IMPROVED ESD CAPABILITY  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
■
■
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTORING YIELDS  
PowerSO-8  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar completition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
DRAIN CONTACT ALSO ON THE BACKSIDE  
The MDmesh™ family is very suitable for increase  
the power density of high voltage converters allow-  
ing system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 30  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
2
0.37  
1.26  
A
A
A
C
Drain Current (continuous) at T = 25°C (1)  
A
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
C
I
(2)  
Drain Current (pulsed)  
8
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
W
70  
3
TOT  
C
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C (1)  
A
Derating Factor (1)  
0.02  
15  
W/°C  
V/ns  
dv/dt (3)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
– 65 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
August 2002  
1/8  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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