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STSJ18NF3LL

更新时间： 2024-01-24 05:24:43
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅
页数 文件大小 规格书
9页 217K
描述
LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET

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STSJ18NF3LL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：POWER, SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STSJ18NF3LL 数据手册

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STSJ18NF3LL  
N-CHANNEL 30V - 0.016 Ω - 18A PowerSO-8™  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1:Package  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STSJ18NF3LL  
30 V  
<0.019 Ω  
18 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.016 Ω @ 10V  
TYPICAL Qg = 12.5 nC @ 4.5 V  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
IMPROVED JUNCTION-CASE THERMAL  
RESISTANCE  
PowerSO-8™  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size™” strip-based process. This silicon, housed  
in thermally improved SO-8™ package, exhibits  
optimal on-resistance versus gate charge trade-  
off plus lower Rthj-c.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS FOR MOBILE PCS  
DRAIN CONTACT ALSO ON THE BACKSIDE  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
STSJ18NF3LL  
18F3LL)  
PowerSO-8  
Table 3: ABSOLUTE MAXIMUM RATING  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
18  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C (*)  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C(*)  
18  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
72  
A
DM  
Total Dissipation at T = 25°C  
70  
3
W
W
P
tot  
C
Total Dissipation at T = 25°C (#)  
C
(•) Pulsewidth limited bysafeoperatingarea.  
(*) Value limited by wires bonding  
Rev. 1.0  
March 2005  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STSJ20NM20N ETC

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