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STS4DPF20L

更新时间: 2024-02-20 13:03:14
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 251K
描述
DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET

STS4DPF20L 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SOP-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.78
Samacsys Confidence:3Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:5296Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated CircuitSamacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:STS4DPF20LSamacsys Released Date:2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys:N其他特性:LOW THRESHOLD
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STS4DPF20L 数据手册

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STS4DPF20L  
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature  
Normalized on Resistance vs Temperature  
Source-drain Diode Forward Characteristics  
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5/8  

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