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STPR610CT PDF预览

STPR610CT

更新时间： 2024-11-04 22:50:03
品牌 Logo 应用领域
台湾光宝 - LITEON 二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
SUPER FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER

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STPR610CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.56
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：40 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：255认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPR610CT 数据手册

 浏览型号STPR610CT的Datasheet PDF文件第2页 
LITE-ON  
SEMICONDUCTOR  
STPR610CT thru 620CT  
SUPER FAST  
GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
REVERSE VOLTAGE  
FORWARD CURRENT  
- 100 200  
to  
Volts  
- 6.0  
Amperes  
TO-220AB  
FEATURES  
Glass passivated chip  
B
L
Superfast switching time for high efficiency  
Low forward voltage drop and high current capability  
Low reverse leakage current  
TO-220AB  
MIN.  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
8.26  
-
M
MAX.  
15.88  
10.67  
3.43  
DIM.  
C
D
A
B
C
D
A
K
High surge capacity  
E
F
Plastic package has UL flammability classification 94V-0  
PIN  
2
6.86  
1
3
9.28  
E
F
6.35  
14.73  
12.70  
2.29  
0.51  
0.30  
3.53  
3.56  
1.14  
2.03  
G
H
G
MECHANICAL DATA  
Case : TO-220AB molded plastic  
Polarity : As marked on the body  
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams  
Mounting position : Any  
2.79  
1.14  
0.64  
4.09  
4.83  
I
I
J
J
K
L
N
H
H
M
N
1.40  
2.92  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
All Dimensions in millimeter  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
℃
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
STPR610CT  
STPR620CT  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RRM  
RMS  
200  
140  
200  
V
V
V
V
100  
70  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
DC  
V
100  
Maximum Average Forward  
Rectified Current  
(AV)  
FSM  
I
A
6.0  
@T  
C
=
125 C  
Non Repetitive Peak Forward  
Surge Current Per Diode  
Sinusoidal (JEDEC Method)  
T
P
10ms  
=
30  
40  
A
I
T
P
=
8.3ms  
J
@T =125 C  
Maximum forward Voltage  
Pulse Width =300us  
Duty cycle  
I
I
I
F
3A  
0.99  
1.20  
1.25  
=
V
J
@T =125 C  
F
=
6A  
F
V
J
@T =25 C  
F
=
6A  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
uA  
uA  
5
50  
J
@T =25 C  
R
I
J
@T =100 C  
Typical Junction Capacitance  
per element (Note 1)  
pF  
ns  
35  
J
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance  
30  
RR  
T
R
0JC  
6.5  
C/W  
C
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
STG  
,T  
J
T
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
REV. 3, 13-Sep-2001, KTGC06  
F
R
RR  
2.Reverse Recovery Test Conditions:I =0.5A,I =1.0A,I 0.25A.  
12

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