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STPR810D PDF预览

STPR810D

更新时间： 2024-11-04 22:24:35
品牌 Logo 应用领域
台湾光宝 - LITEON 整流二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
SUPER FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

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STPR810D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AC包装说明：PLASTIC PACKAGE-2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：255认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPR810D 数据手册

 浏览型号STPR810D的Datasheet PDF文件第2页 
LITE-ON  
SEMICONDUCTOR  
STPR810D thru 820D  
SUPER FAST  
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS  
REVERSE VOLTAGE - 100 to 200 Volts  
FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes  
TO-220AC  
FEATURES  
Glass passivated chip  
B
L
Superfast switching time for high efficiency  
Low forward voltage drop and high current capability  
Low reverse leakage current  
TO-220AC  
MIN.  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
8.26  
-
M
MAX.  
15.88  
10.67  
3.43  
DIM.  
A
C
D
B
High surge capacity  
A
K
C
Plastic package has UL flammability classification  
94V-0  
E
F
PIN  
D
6.86  
1
2
9.28  
E
F
6.35  
14.73  
12.70  
4.83  
0.51  
0.30  
3.53  
3.56  
1.14  
2.03  
G
H
G
5.33  
1.14  
0.64  
4.09  
4.83  
MECHANICAL DATA  
Case : TO-220AC molded plastic  
Polarity : As marked on the body  
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams  
Mounting position : Any  
I
I
J
J
H
K
L
N
M
N
1.40  
2.92  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
All Dimensions in millimeter  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
℃
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
STPR810D  
STPR820D  
UNIT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
200  
140  
200  
RRM  
RMS  
100  
70  
V
V
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
V
DC  
Maximum Average Forward  
Rectified Current  
I
(AV)  
FSM  
A
8.0  
@T  
C
=
120 C  
Non Repetitive Peak Forward  
Surge Current Per Diode  
Sinusoidal (JEDEC Method)  
T
P
=
10ms  
80  
90  
A
I
P=  
T 8.3ms  
I
I
I
F
=
8A  
J
@T =125 C  
Maximum forward Voltage  
Pulse Width =300us  
Duty cycle  
0.99  
1.20  
1.25  
V
F
=
1
6A  
F=  
1
6A  
@T  
J
=125 C  
=25 C  
V
F
@T  
J
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
50  
600  
@T  
J
=25 C  
uA  
I
R
@T =100 C  
J
Typical Junction  
Capacitance (Note 1)  
pF  
ns  
80  
C
J
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance  
30  
T
RR  
R
0JC  
3.0  
C/W  
C
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
T
J
,TSTG  
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
REV. 3, 13-Sep-2001, KTGA05  
F
R
RR  
2.Reverse Recovery Test Conditions:I =0.5A,I =1.0A,I 0.25A.  
12

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