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STPR820DB PDF预览

STPR820DB

更新时间： 2024-01-17 10:47:16
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管快恢复二极管超快恢复二极管功效局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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STPR820DB 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.53Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.99 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPR820DB 数据手册

 浏览型号STPR820DB的Datasheet PDF文件第2页 
STPR805DB thru STPR820DB  
Ultra Fast Recovery Diodes  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
STPR805DB  
STPR810DB  
STPR815DB  
STPR820DB  
50  
35  
50  
100  
150  
200  
70  
100  
150  
200  
105  
140  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125oC  
8.0  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
100  
Maximum Forward  
Voltage IF=8A  
@TJ=25oC  
1.3  
0.8  
VF  
IR  
V
@TJ=150oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Peak Reverse Voltage  
@TJ=25oC  
10  
500  
uA  
@TJ=100oC  
CJ  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
45  
25  
pF  
ns  
oC/W  
oC  
TRR  
ROJC  
3.0  
TJ,TSTG Operating And Storage Temperature Range  
-55 to +150  
NOTES: 1. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
3. Thermal Resistance Junction To Case.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Glass passivated chip  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* Superfast switching time for high efficiency  
* Low forward voltage drop and high current capability  
* Low reverse leakage current  
* High surge capacity  
12

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