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STPR815DB PDF预览

STPR815DB

更新时间： 2024-02-09 18:23:08
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管快恢复二极管超快恢复二极管功效局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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STPR815DB 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

STPR815DB 数据手册

 浏览型号STPR815DB的Datasheet PDF文件第2页 
STPR805DB thru STPR820DB  
Ultra Fast Recovery Diodes  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
STPR805DB  
STPR810DB  
STPR815DB  
STPR820DB  
50  
35  
50  
100  
150  
200  
70  
100  
150  
200  
105  
140  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125oC  
8.0  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
100  
Maximum Forward  
Voltage IF=8A  
@TJ=25oC  
1.3  
0.8  
VF  
IR  
V
@TJ=150oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Peak Reverse Voltage  
@TJ=25oC  
10  
500  
uA  
@TJ=100oC  
CJ  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
45  
25  
pF  
ns  
oC/W  
oC  
TRR  
ROJC  
3.0  
TJ,TSTG Operating And Storage Temperature Range  
-55 to +150  
NOTES: 1. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
3. Thermal Resistance Junction To Case.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Glass passivated chip  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* Superfast switching time for high efficiency  
* Low forward voltage drop and high current capability  
* Low reverse leakage current  
* High surge capacity  
12

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