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STPR620CFP

更新时间: 2024-09-22 21:54:55
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
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7页 769K
描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

STPR620CFP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.18其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.99 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.03 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

STPR620CFP 数据手册

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®
STPR620CT/CF/CFP  
ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
Tj(max)  
2 x 3 A  
200 V  
150°C  
0.99 V  
30 ns  
K
VF(max  
)
trr(max)  
A2  
A2  
K
K
A1  
FEATURES  
A1  
Suited for SMPS  
Low losses  
Low forward and reverse recovery time  
High surge current capability  
Insulated packages:  
TO-220AB  
STPR620CT  
ISOWATT220AB  
STPR620CF  
ISOWATT220AB / TO-220FPAB  
Insulation voltage = 2000V DC  
Capacitance = 12pF  
DESCRIPTION  
A2  
K
A1  
Low cost dual center tap rectifier suited for  
Switched Mode Power Supplies and high fre-  
quency DC to DC converters.  
TO-220FPAB  
STPR620CFP  
Packaged in TO-220AB, TO-220FPAB and  
ISOWATT220AB, this device is intended for use  
in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling and polarity protection applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM (limiting values)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
V
200  
10  
3
IF(RMS)  
IF(AV)  
RMS forward current  
Per diode  
A
Average forward  
TO-220AB  
Tc=125°C Per diode  
A
current δ = 0.5  
ISOWATT220AB Tc=120°C Per device  
TO-220FPAB  
6
IFSM  
Tstg  
Tj  
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
tp=10ms sinusoidal  
30  
A
- 65 to + 150 °C  
150 °C  
Maximum junction temperature  
January 2002- Ed:3D  
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