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STPR810D

更新时间： 2024-02-16 16:58:41
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SIRECT 二极管功效局域网超快速恢复二极管
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2页 75K
描述
Ultra Fast Recovery Diodes

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STPR810D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, ISOWATT220AC, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：50 µA
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPR810D 数据手册

 浏览型号STPR810D的Datasheet PDF文件第2页 
STPR810D thru STPR820D  
Ultra Fast Recovery Diodes  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
STPR810D  
STPR820D  
100  
200  
70  
100  
200  
140  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=120oC  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
8.0  
A
A
Non Repetitive Peak Forward Surge Current  
Per Diode Sinusoidal (JEDEC METHOD)  
TP=10ms  
TP=8.3ms  
80  
90  
IFSM  
Maximum Forward Voltage  
Pulse Width=300us  
Duty Cycle  
IF=8A @TJ=125oC  
IF=16A @TJ=125oC  
IF=16A @TJ=25oC  
0.99  
1.20  
1.25  
VF  
IR  
V
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
50  
600  
uA  
@TJ=100oC  
CJ  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
80  
30  
pF  
ns  
oC/W  
oC  
TRR  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance  
ROJC  
3.0  
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
NOTES: 1. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Glass passivated chip  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* Superfast switching time for high efficiency  
* Low forward voltage drop and high current capability  
* Low reverse leakage current  
* High surge capacity  
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