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STP6NA60

更新时间： 2024-11-24 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 208K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STP6NA60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：215 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：55 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：125 W
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：175 ns
Base Number Matches：1

STP6NA60 数据手册

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STP6NA60  
STP6NA60FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP6NA60  
STP6NA60FI  
600 V  
600 V  
< 1.2 Ω  
< 1.2 Ω  
6.5 A  
3.9 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE GHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-220  
ISOWATT220  
DESCRIPTION  
This series of POWER MOSFETS represents the  
most advanced high voltage technology. The  
optimized cell layout coupled with  
a new  
proprietary edge termination concur to give the  
device low RDS(on) and gate charge, unequalled  
ruggedness and superior switching performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP6NA60  
STP6NA60FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
600  
600  
± 30  
V
V
V
6.5  
4.3  
26  
3.9  
2.6  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
26  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
125  
1
45  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.36  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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与STP6NA60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP6NA60FI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP6NA60FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP6NA80 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP6NA80 NJSEMI

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