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STP6NC80ZFP

更新时间： 2024-01-14 10:52:13
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
13页 512K
描述
N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STP6NC80ZFP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65雪崩能效等级（Eas）：237 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A
最大漏极电流 (ID)：5.4 A最大漏源导通电阻：1.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP6NC80ZFP 数据手册

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STP6NC80Z - STP6NC80ZFP  
STB6NC80Z - STB6NC80Z-1  
N-CHANNEL 800V - 1.5Ω - 5.4A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP6NC80Z/FP  
STB6NC80Z/-1  
800V  
800V  
< 1.8 Ω  
< 1.8 Ω  
5.4 A  
5.4 A  
3
1
■
■
TYPICAL R (on) = 1.5 Ω  
DS  
3
2
D²PAK  
1
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY  
GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
3
2
1
I²PAK  
(Tabless TO-220)  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)6NC80Z(-1) STP6NC80ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
800  
800  
± 25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
5.4  
3.4  
21  
5.4(*)  
3.4(*)  
21(*)  
40  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
125  
1
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.32  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current (●)  
±50  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt  
3
V
ISO  
--  
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
December 2002  
(1)I ≤5.4A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*)Pulse width Limited by maximum temperature allowed  
1/13  
.
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP6NC90Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DP
STP6NC90ZFP STMICROELECTRONICS

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