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STP6NA60FP

更新时间： 2024-11-24 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 53K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STP6NA60FP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：215 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.9 A
最大漏极电流 (ID)：3.9 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP6NA60FP 数据手册

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STP6NA60FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 1.2 Ω  
ID  
STP6NA60FP  
600 V  
3.9 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
2
1
DESCRIPTION  
This series of POWER MOSFETS represents  
the most advanced high voltage technology.  
The optmized cell layout coupled with a new  
proprietary edge termination concur to give  
the device low RDS(on) and gate charge,  
TO-220FP  
unequalled  
ruggedness  
and  
superior  
switching performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
600  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
± 30  
3.9  
V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
2.6  
A
I
DM(• )  
26  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
40  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.32  
2000  
-65 to 150  
150  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
October 1997  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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