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STP6NC80FP

更新时间： 2024-01-26 11:16:20
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | TO-220FP

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STP6NC80FP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65雪崩能效等级（Eas）：237 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A
最大漏极电流 (ID)：5.4 A最大漏源导通电阻：1.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP6NC80FP 数据手册

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STP6NC80Z - STP6NC80ZFP  
STB6NC80Z-1  
N-CHANNEL 800V - 1.8Ω - 5.1A TO-220/TO-220FP/I PAK  
Zener-Protected PowerMESH III MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
R
DS(on)  
I
D
DSS  
STP6NC80Z/FP  
STB6NC80Z-1  
800V  
800V  
< 2 Ω  
< 2 Ω  
5.1 A  
5.1 A  
n TYPICAL R (on) = 1.8 Ω  
DS  
3
2
■ EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY  
GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES  
■ 100% AVALANCHE TESTED  
1
TO-220  
TO-220FP  
■ VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
■ GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
I PAK  
(Tabless TO-220)  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY  
Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■ SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
■ WELDING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)6NC80Z(-1) STP6NC80ZFP  
V
Drain-source Voltage (V  
= 0)  
GS  
800  
800  
± 25  
V
V
V
A
A
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
5.1  
3.2  
20  
5.1(*)  
3.2(*)  
20(*)  
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
D
C
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
I
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
125  
1
40  
W
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
TOT  
C
Derating Factor  
0.32  
I
Gate-source Current  
±50  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt  
3
V
--  
2000  
ISO  
T
–65 to 150  
150  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
°C  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤5.1A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
April 2000  
(2) Limited only by maximum temperature allowed  
.
1/8  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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