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STP6NB25FP

更新时间： 2024-02-26 00:42:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 111K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 6A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET

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STP6NB25FP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220FP包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP6NB25FP 数据手册

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STP6NB25  
STP6NB25FP  
- 6A TO-220/TO-220FP  
PowerMesh MOSFET  
N-CHANNEL 250V - 0.9  
Ω
TYPE  
STP6NB25  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
250 V  
250 V  
< 1.1 Ω  
< 1.1 Ω  
6 A  
STP6NB25FP  
3.7 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.9 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
TO-220FP  
TO-220  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
nation structure, gives the lowest R  
per area,  
DS(on)  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM , INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP6NB25  
STP6NB25FP  
V
Drain-source Voltage (V  
= 0)  
GS  
250  
250  
±30  
V
V
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
6
3.7  
2.3  
24  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
3.8  
24  
75  
0.6  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
30  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.24  
W/°C  
V/ns  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
5.5  
V
-
2000  
ISO  
T
stg  
–60 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
Jun 2000  
(1)I ≤6A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
1/9  
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