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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | VOLTAGE CLAMPING | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 420 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 门极发射器阈值电压最大值： | 2.3 V |
| 门极-发射极最大电压： | 16 V | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 22200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 4450 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGD18N40LZT4 | STMICROELECTRONICS |
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EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT |
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| STGD18N40LZT4TRL | STMICROELECTRONICS |
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25A, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STGD19N40LZ | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 180 mJ |
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| STGD20N40LZ | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ |
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| STGD20N45LZAG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ |
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| STGD25N36LZAG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ |
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| STGD25N40LZAG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ |
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| STGD3HF60HDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode |
|
| STGD3HF60WDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, PLASTIC, DPAK, TO-252, 3 PIN |
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| STGD3NB60F | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2 |
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