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Datasheet > 晶体管 > IGBT> STGD3NB60SDT4
STGD3NB60SDT4 PDF预览

STGD3NB60SDT4

更新时间： 2024-11-25 23:35:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 325K
描述
N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT

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STGD3NB60SDT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.68Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：4.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：48 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：4800 ns
标称接通时间 (ton)：275 nsBase Number Matches：1

STGD3NB60SDT4 数据手册

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STGD3NB60SD  
®
N-CHANNEL 3A - 600V DPAK  
Power MESH IGBT  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
STGD3NB60SD  
VCES  
VCE(sat)  
IC  
600 V  
< 1.5 V  
3 A  
■
HIGH INPUT IMPEDANCE  
(VOLTAGE DRIVEN)  
■
■
■
■
■
VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
)
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
INTEGRATED FREEWHEELING DIODE  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX "T4")  
3
1
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based  
on a patented strip layout, STMicroelectronics  
has designed an advanced family of IGBTs, the  
PowerMESH  
IGBTs,  
with  
outstanding  
perfomances. The suffix "S" identifies a family  
optimized to achieve minimum on-voltage drop  
for low frequency applications (<1kHz).  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
GAS DISCHARGE LAMP  
STATIC RELAYS  
MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCES  
VGE  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage (VGS = 0)  
Gate-Emitter Voltage  
600  
± 20  
V
o
IC  
Collector Current (continuous) at Tc = 25 C  
6
A
o
IC  
Collector Current (continuous) at Tc = 100 C  
3
25  
A
ICM(•)  
Ptot  
Collector Current (pulsed)  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
48  
W
Derating Factor  
0.32  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
March 2000  
12345678

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STGD3NB60SDT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STGD3NB60SD STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
FGD3N60LSDTM FAIRCHILD

功能相似

 IGBT
HGTD3N60C3S9A FAIRCHILD

功能相似

 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGD3NB60ST4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD3NC60H STMICROELECTRONICS

获取价格

 		10A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
STGD3NC60HD STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
STGD3NC60HDT4 STMICROELECTRONICS

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