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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | TO-252, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGD3NC60HT4 | STMICROELECTRONICS |
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10A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252, DPAK-3 |
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| STGD4M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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| STGD5H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGD5NB120SZ | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
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| STGD5NB120SZ-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
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| STGD5NB120SZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
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| STGD6M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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| STGD6NC60H | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT |
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| STGD6NC60H_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT |
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| STGD6NC60HD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT |
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