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STGD7NB60FT4

更新时间： 2024-11-22 23:35:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 332K
描述
N-CHANNEL 7A 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT

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STGD7NB60FT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：14 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：505 ns
标称接通时间 (ton)：23 nsBase Number Matches：1

STGD7NB60FT4 数据手册

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STGP7NB60F - STGD7NB60F  
N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220 / DPAK  
PowerMESH™ IGBT  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
I
C
CE(sat) (Max)  
@25°C  
V
CES  
@100°C  
STGP7NB60F  
STGD7NB60F  
600 V  
600 V  
< 2.4 V  
< 2.4 V  
7 A  
7 A  
■
■
■
■
■
■
■
HIGH INPUT IMPEDANCE  
LOW ON-VOLTAGE DROP (V  
3
3
)
1
cesat  
2
1
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
HIGH FREQUENCY OPERATION  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL (DPAK)  
DPAK  
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has de-  
signed an advanced family of IGBTs, the Power-  
MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances.  
The suffix "F" identifies a family optimized to  
achieve very low switching switching times for fre-  
quency applications (<40KHZ)  
APPLICATIONS  
■
MOTOR CONTROLS  
■
SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH  
AND RESONANT TOPOLOGIES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
TO-220  
DPAK  
V
Collector-Emitter Voltage (V = 0)  
600  
±20  
14  
7
V
V
CES  
GS  
V
Gate-Emitter Voltage  
GE  
I
Collector Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
C
I
Collector Current (continuous) at T = 100°C  
A
C
C
I
( )  
Collector Current (pulsed)  
56  
A
CM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
80  
70  
W
C
Derating Factor  
0.64  
0.56  
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
– 55 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(
) PULSE WIDTH LIMITED BY SAFE OPERATING AREA  
June 2003  
1/8  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
12345678

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