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STGD3NB60SD-1

更新时间： 2024-11-26 20:50:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	312K
描述
N-channel 3 A, 600 V low drop IGBT

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STGD3NB60SD-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
门极发射器阈值电压最大值：	4.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	48 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
Base Number Matches：	1

STGD3NB60SD-1 数据手册

STGD3NB60SD

N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK

PowerMESH™ IGBT

TYPE

CES

CE(sat)

STGD3NB60SD

600 V

< 1.5 V

3 A

■

HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE

DRIVEN)

■

VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V

HIGH CURRENT CAPABILITY

INTEGRATED WHEELING DIODE

)

cesat

DPAK

OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on

a patented strip layout, STMicroelectronics has

designed an advanced family of IGBTs, the

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

™

PowerMESH IGBTs, with outstanding

performances. The suffix “S” identifies a family

optimized to achieve minimum on-voltage drop for

low frequency applications (<1kHz).

APPLICATIONS

■

MOTOR CONTROL

GAS DISCHARGE LAMP

STATIC RELAYS

ORDERING INFORMATION

SALES TYPE

MARKING

PACKAGE

PACKAGING

STGD3NB60SDT4

GD3NB60SD

DPAK

TAPE & REEL

May 2004

1/9

12 3 4 5 6 7...9

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