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STGB10N60L

更新时间： 2024-02-19 04:54:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管双极性晶体管栅汽车点火
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描述
N-CHANNEL 10A - 600V D2PAK LOGIC LEVEL IGBT

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STGB10N60L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	2 V
门极-发射极最大电压：	15 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AUTOMOTIVE IGNITION	晶体管元件材料：	SILICON
标称接通时间 (ton)：	2600 ns	Base Number Matches：	1

STGB10N60L 数据手册

STGB10N60L

N-CHANNEL 10A - 600V D PAK

LOGIC LEVEL IGBT

TYPE

V_CES

V_CE(sat)

I_C

10 A

STGB10N60L

600 V

< 1.95 V

■

HIGH INPUT IMPEDANCE

(VOLTAGEDRIVEN)

■

VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V_cesat)

LOW THRESHOLD VOLTAGE

(LOGIC LEVEL INPUT)

HIGH CURRENT CAPABILITY

■

OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)

POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)

OR IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

D²PAK

TO-263

APPLICATIONS

■

ELECTRONIC IGNITION

LIGHT DIMMER

STATIC RELAYS

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

V_ECR

V_GE

Parameter

Value

600

Unit

Collector-Emitter Voltage (V_GS= 0)

Reverse Battery Protection

Gate-Emitter Voltage

I_C

Collector Current (continuous) at T_c= 25 C

I_C

Collector Current (continuous) at T_c= 100 C

100

_CM(• )

Collector Current (pulsed)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

125

Derating Factor

0.83

W/^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 175

175

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/8

June 1999

12 3 4 5 6 7 8

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