STFW6N120K3

更新时间： 2024-11-28 12:02:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
17页	798K
描述
N-channel 1200 V, 1.95 Ohm typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packages

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STFW6N120K3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3PF	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-3PF, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	43 weeks 2 days
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	2.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STFW6N120K3 数据手册

STFW6N120K3, STP6N120K3,

STW6N120K3

N-channel 1200 V, 1.95 Ω typ., 6 A SuperMESH3™

Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packages

Datasheet — production data

Features

R_DS(on)

max

Order codes

V_DSS

I_D

P_tot

STFW6N120K3 1200 V < 2.4 Ω

STP6N120K3 1200 V < 2.4 Ω

6 A

63 W

150 W

TO-3PF

TAB

STW6N120K3 1200 V < 2.4 Ω

■ 100% avalanche tested

■ Extremely large avalanche performance

■ Gate charge minimized

TO-247

TO-220

■ Very low intrinsic capacitances

■ Zener-protected

Figure 1.

Internal schematic diagram

Applications

■ Switching applications

D(2,TAB)

Description

These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the

result of improvements applied to

G(1)

STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology,

combined with a new optimized vertical structure.

These devices boast an extremely low on-

resistance, superior dynamic performance and

high avalanche capability, rendering them suitable

for the most demanding applications.

S(3)

AM01476v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STFW6N120K3

STP6N120K3

STW6N120K3

TO-3PF

TO-220

TO-247

6N120K3

Tube

November 2012

Doc ID 15572 Rev 3

1/17

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...17

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与STFW6N120K3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STFW8N120K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，T
STFY100	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
STFY140	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
STFY200	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
STFY240	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
STFY300	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
STFY340	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
STFY400	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
STFY440	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
STFY9130	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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