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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257 | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STFY300 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| STFY340 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| STFY400 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| STFY440 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| STFY9130 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| STFY9140 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| STG1218IQT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Dual supply, quad SPDT switch, 1.8V and 3.3V logic input compatible |
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| STG15M120F3D7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V, 15 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing |
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| STG15M120F3D8 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、15 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT晶片，D8封装 |
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| STG15M65F2D7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT晶片，D7封装 |
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