5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.39 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.86 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257 |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STFY9130 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| STFY9140 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| STG1218IQT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Dual supply, quad SPDT switch, 1.8V and 3.3V logic input compatible |
|
| STG15M120F3D7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V, 15 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing |
|
| STG15M120F3D8 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1200 V、15 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT晶片，D8封装 |
|
| STG15M65F2D7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT晶片，D7封装 |
|
| STG1700 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1280X1024 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 |
|
| STG1700J-13Z | ETC |
获取价格 |
Video DAC with Color Palette (RAMDAC) |
|
| STG1702 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1280X1024 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 |
|
| STG1703 | ETC |
获取价格 |
Converter IC |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
