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STFY9140

更新时间: 2024-11-28 19:16:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257

STFY9140 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.38配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):9.3 A
最大漏源导通电阻:0.31 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-257JESD-30 代码:R-MSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STFY9140 数据手册

  

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