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STFW3N150 PDF预览

STFW3N150

更新时间： 2024-10-01 06:14:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
16页 481K
描述
N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Power MOSFET

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STFW3N150 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-3PF包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3PF, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.68雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STFW3N150 数据手册

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STFV3N150 , STFW3N150  
STP3N150, STW3N150  
N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Power MOSFET  
TO-220, TO-220FH, TO-247, TO-3PF  
Features  
Type  
VDSS RDS(on) max  
ID  
Pw  
STFV3N150 1500 V  
STFW3N150(1) 1500 V  
< 9 Ω  
< 9 Ω  
< 9 Ω  
< 9 Ω  
2.5 A 30 W  
2.5 A 83 W  
2.5 A 140 W  
2.5 A 140 W  
3
3
2
1
2
1
TO-220FH  
TO-220  
STP3N150  
1500 V  
STW3N150 1500 V  
1. All data which refers solely to the TO-3PF package is  
preliminary  
3
■ 100% avalanche tested  
3
2
2
1
1
■ Intrinsic capacitances and Qg minimized  
■ High speed switching  
TO-247  
TO-3PF  
■ Fully isolated TO-3PF and TO-220FH plastic  
packages  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Creepage distance path is 5.4 mm (typ.) for  
TO-3PF  
■ Creepage distance path is > 4 mm for  
TO-220FH  
Application  
■ Switching applications  
Description  
Using the well consolidated high voltage MESH  
OVERLAY™ process, STMicroelectronics has  
designed an advanced family of very high voltage  
Power MOSFETs with outstanding performances.  
The strengthened layout coupled with the  
company’s proprietary edge termination structure,  
gives the lowest R  
per area, unrivalled gate  
DS(on)  
charge and switching characteristics.  
Table 1. Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
TO-220FH  
Packaging  
STFV3N150  
STFW3N150  
STP3N150  
STW3N150  
3N150  
3N150  
3N150  
3N150  
Tube  
Tube  
Tube  
Tube  
TO-3PF  
TO-220  
TO-247  
February 2009  
Rev 6  
1/16  
www.st.com  
16  
1234567...16

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STFW3N150 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDUL03N150CG ONSEMI

功能相似

 N-Channel Power MOSFET
STFV3N150 STMICROELECTRONICS

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 N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Powe

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STFW3N150_10 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 1500 V - 5 ヘ - 4 A - PowerMESH⑩ Pow
STFW4N150_09 STMICROELECTRONICS

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STFW8N120K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，T
STFY100 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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