是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.84 |
击穿电压标称值: | 440 V | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大重复峰值反向电压: | 376 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB6LNC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A D2PAK PowerMesh⑩ | |
STB6LNC60T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-263AB | |
STB6N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STB6N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET,D | |
STB6NA60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR | |
STB6NA60-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR | |
STB6NA60T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB | |
STB6NA80 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR | |
STB6NA80-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-262VAR | |
STB6NA80T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-263AB |