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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 52K |  |
| 描述 | ||
| N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB22NE03LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
22A, 30V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STB22NM50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PA |
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| STB22NM50-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PA |
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| STB22NM50T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 500V, 0.215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 |
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| STB22NM60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P |
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| STB22NM60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P |
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| STB22NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh⢠II Po |
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| STB22NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
22A, 600V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3 |
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| STB22NS25Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Z |
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| STB22NS25Z_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 250V - 0.13Ω - 22A - TO-220 / D2PAK |
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