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STB22NM60T4 PDF预览

STB22NM60T4

更新时间： 2024-11-15 15:53:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 238K
描述
22A, 600V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

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STB22NM60T4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.69雪崩能效等级（Eas）：650 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：192 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB22NM60T4 数据手册

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STP22NM60 - STF22NM60  
STB22NM60 - STB22NM60-1 - STW22NM60  
N-CHANNEL 650V @ Tjmax- 0.19Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247  
MDmesh™ MOSFET  
ADVANCED DATA  
TYPE  
V
DSS  
(@Tjmax)  
R
R
*Q  
I
D
DS(on)  
ds(on)  
g
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
3
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.19Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
2
TO-247  
3
1
3
2
1
I2PAK  
D2PAK  
DESCRIPTION  
This improved version of MDmesh™ which is based  
on Multiple Drain process represents the new bench-  
mark in high voltage MOSFETs. The resulting product  
exhibits even lower on-resistance, impressively high  
dv/dt and excellent avalanche characteristics. The  
adoption of the Company’s proprietary strip technique  
yields overall performances that are significantly better  
than that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing sys-  
tem miniaturization and higher efficiencies.  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
MARKING  
P22NM60  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
D²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
F22NM60  
TUBE  
B22NM60T4  
B22NM60-1  
W22NM60  
TAPE & REEL  
TUBE  
I²PAK  
TO-247  
TUBE  
February 2004  
1/11  
1234567...11

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与STB22NM60T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB22NS25Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Z
STB22NS25Z_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 250V - 0.13Ω - 22A - TO-220 / D2PAK
STB22NS25ZT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
STB230NH03L STMICROELECTRONICS

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STB230NH03LTRL STMICROELECTRONICS

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 		80A, 30V, 0.003ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK, SC06140, 3 PIN
STB23N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2
STB23NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK -
STB24-0-0 TE

获取价格

 		STD and STB Markers

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