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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB22NS25Z
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STB22NS25Z

更新时间： 2024-11-14 22:12:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 451K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET

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STB22NS25Z 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：350 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB22NS25Z 数据手册

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STP22NS25Z  
STB22NS25Z  
N-CHANNEL 250V - 0.13Ω - 22A TO-220/D2PAK  
Zener-Protected MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP22NS25Z  
STB22NS25Z  
250 V  
250 V  
< 0.15 Ω  
< 0.15 Ω  
22 A  
22 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.13 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
3
1
2
1
2
TO-220  
D PAK  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
250  
250  
± 20  
22  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
13.9  
88  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
135  
1.07  
2500  
5
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt (1)  
V/ns  
T
stg  
–55 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤22A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
January 2002  
1/10  
1234567...10

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STB22NS25Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF654 FAIRCHILD

功能相似

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IRFI654B FAIRCHILD

功能相似

 250V N-Channel MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB22NS25Z_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 250V - 0.13Ω - 22A - TO-220 / D2PAK
STB22NS25ZT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
STB230NH03L STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET? Power MOSFET
STB230NH03LTRL STMICROELECTRONICS

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 		80A, 30V, 0.003ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK, SC06140, 3 PIN
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