生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
雪崩能效等级(Eas): | 1150 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.003 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1000 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB23N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET,D | |
STB23NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22 | |
STB23NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 | |
STB23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - | |
STB24-0-0 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB24-0-1 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB24-0-2 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB24-0-3 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB24-0-4 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB24-0-5 | TE |
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STD and STB Markers |