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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB22NM60-1
STB22NM60-1 PDF预览

STB22NM60-1

更新时间： 2024-11-14 22:28:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 387K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET

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STB22NM60-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：650 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：192 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB22NM60-1 数据手册

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STP22NM60 - STF22NM60  
STB22NM60 - STB22NM60-1 - STW22NM60  
N-CHANNEL 600V - 0.19 Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247  
MDmesh™Power MOSFET  
ADVANCED DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
R
*Q  
I
D
DS(on)  
ds(on)  
g
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.19Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
3
2
1
TO-247  
3
1
3
2
1
I2PAK  
D2PAK  
DESCRIPTION  
This improved version of MDmesh™ which is based  
on Multiple Drain process represents the new bench-  
mark in high voltage MOSFETs. The resulting product  
exhibits even lower on-resistance, impressively high  
dv/dt and excellent avalanche characteristics. The  
adoption of the Company’s proprietary strip technique  
yields overall performances that are significantly better  
than that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing sys-  
tem miniaturization and higher efficiencies.  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
MARKING  
P22NM60  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
D²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
F22NM60  
TUBE  
B22NM60T4  
B22NM60-1  
W22NM60  
TAPE & REEL  
TUBE  
I²PAK  
TO-247  
TUBE  
June 2003  
1/11  
1234567...11

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与STB22NM60-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB22NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Po
STB22NM60T4 STMICROELECTRONICS

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 		22A, 600V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
STB22NS25Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Z
STB22NS25Z_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 250V - 0.13Ω - 22A - TO-220 / D2PAK
STB22NS25ZT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
STB230NH03L STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET? Power MOSFET
STB230NH03LTRL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		80A, 30V, 0.003ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK, SC06140, 3 PIN
STB23N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，D
STB23NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22
STB23NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2

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