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STB22NM50T4 PDF预览

STB22NM50T4

更新时间： 2024-11-15 14:45:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 356K
描述
20A, 500V, 0.215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

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STB22NM50T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：650 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.215 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：192 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB22NM50T4 数据手册

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STP22NM50 - STP22NM50FP  
STB22NM50 - STB22NM50-1  
2
2
N-CHANNEL 500V - 0.16Ω - 20A TO-220/FP/D PAK/I PAK  
MDmesh™Power MOSFET  
ADVANCED DATA  
TYPE  
V
R
R
*Q  
ds(on)  
I
D
DSS  
DS(on)  
g
STP22NM50  
STP22NM50FP  
STB22NM50  
STB22NM50-1  
500 V <0.215Ω 6.4 Ω*nC  
500 V <0.215Ω 6.4 Ω*nC  
500 V <0.215Ω 6.4 Ω*nC  
500 V <0.215Ω 6.4 Ω*nC  
20 A  
20 A  
20 A  
20 A  
3
1
3
2
2
D PAK  
1
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.16Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TO-220  
TO-220FP  
3
2
1
I²PAK  
(Tabless TO-220)  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET tech-  
nology that associates the Multiple Drain process with  
the Company’s PowerMESH™ horizontal layout. The  
resulting product has an outstanding low on-resis-  
tance, impressively high dv/dt and excellent avalanche  
characteristics. The adoption of the Company’s propri-  
etary strip technique yields overall dynamic perfor-  
mance that is significantly better than that of similar  
competition’s products.  
I
NTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing sys-  
tem miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)22NM50(-1) STP22NM50FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
500  
500  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
20  
12.6  
80  
20(*)  
12.6(*)  
80(*)  
45  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
192  
1.2  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.36  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
15  
V
ISO  
--  
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤20A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
January 2003  
1/10  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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