是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | D2PAK-2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.83 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 50 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 70 pF |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 125 W | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大开启时间(吨): | 135 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB18N20-1 | STMICROELECTRONICS |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 | |
STB18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P | |
STB18N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STB18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STB18N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、230 mOhm典型值、13 A MDmesh M6功率MOSFET,D | |
STB18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.198 Ω typ., 15 A MDmeshâ | |
STB18NF25 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 250 V, 0.14 Ω, 17 A low gate charg | |
STB18NF30 | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道330 V、160 mOhm典型值、18 A STripFET(TM) II功 | |
STB18NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Pow | |
STB18NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.25 Ohm typ., 13 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK |