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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 860 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0043 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB190NF04T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET |
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| STB19N20 | STMICROELECTRONICS |
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15A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK, 3 PIN |
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| STB19NB20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET |
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| STB19NB20-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-22 |
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| STB19NF20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK |
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| STB19NM65NT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP |
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| STB200N04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
120A, 40V, 0.004ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK, 3 PIN |
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| STB200N4F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO-2 |
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| STB200N6F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
120A, 60V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PA |
|
| STB200NF03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK |
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