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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB18NM60NTRL
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STB18NM60NTRL

更新时间： 2024-11-26 13:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 426K
描述
13A, 600V, 0.285ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3

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STB18NM60NTRL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：350 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.285 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB18NM60NTRL 数据手册

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STB18NM60N, STF18NM60N  
STP18NM60N, STW18NM60N  
N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK  
second generation MDmesh™ Power MOSFET  
Preliminary data  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max  
Type  
ID  
PW  
3
1
3
STB18NM60N  
STF18NM60N  
STP18NM60N  
STW18NM60N  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.285 Ω 13 A 80 W  
< 0.285 Ω 13 A 30 W  
< 0.285 Ω 13 A 80 W  
< 0.285 Ω 13 A 80 W  
2
D²PAK  
1
TO-247  
■ 100% avalanche tested  
3
3
2
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
2
1
1
TO-220FP  
TO-220  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Switching applications  
Description  
$ꢅꢆꢇ  
MDmesh™ technology applies the benefits of the  
multiple drain process to STMicroelectronics’  
well-known PowerMESH™ horizontal layout  
structure. The resulting product offers low on-  
resistance, high dv/dt capability and excellent  
avalanche characteristics.  
'ꢅꢁꢇ  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB18NM60N  
STF18NM60N  
STP18NM60N  
STW18NM60N  
18NM60N  
18NM60N  
18NM60N  
18NM60N  
Tape and reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
TO-247  
Tube  
June 2009  
Doc ID 15868 Rev 1  
1/14  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
14  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB18NM80 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmes Power M
STB190NF04 STMICROELECTRONICS

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STB190NF04/-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB190NF04_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB190NF04-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB190NF04T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB19N20 STMICROELECTRONICS

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 		15A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK, 3 PIN
STB19NB20 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET
STB19NB20-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-22
STB19NF20 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK

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