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STB19N20

更新时间: 2024-11-26 20:02:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 331K
描述
15A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK, 3 PIN

STB19N20 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
雪崩能效等级(Eas):110 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.16 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STB19N20 数据手册

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STB19N20  
STP19N20  
N-channel 200V - 0.15- 15A - TO-220 - D2PAK  
MESH OVERLAY™ Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB19N20  
STP19N20  
200V  
200V  
<0.16Ω  
<0.16Ω  
15A  
15A  
Extremely high dv/dt capability  
Gate charge minimized  
3
3
2
1
1
TO-220  
Very low intrinsic capacitances  
D²PAK  
Description  
This Power MOSFET is designed using the  
company’s consolidated strip layout-based MESH  
OVERLAY™ process. This technology matches  
and improves the performances compared with  
standard parts from various sources.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STB19N20  
STP19N20  
B19N20  
P19N20  
PAK  
Tape & reel  
Tube  
TO-220  
October 2006  
Rev 1  
1/14  
www.st.com  
14  

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