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STB140NF55-1

更新时间: 2024-11-28 04:00:43
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
15页 483K
描述
N-channel 55V - 0.0065ヘ - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET

STB140NF55-1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-262AA包装说明:TO-262, I2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.69
雪崩能效等级(Eas):1300 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.008 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):300 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STB140NF55-1 数据手册

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STB140NF55 - STB140NF55-1  
STP140NF55  
N-channel 55V - 0.0065- 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220  
STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
(1)  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB140NF55  
STB140NF55-1  
STP140NF55  
55V  
55V  
55V  
<0.008Ω  
<0.008Ω  
<0.008Ω  
80A  
80A  
80A  
3
3
3
2
1. Current limited by package  
1
2
1
1
PAK  
TO-220  
PAK  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size™” strip-based process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalance  
characteristics and less critical alignment steps  
therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Motor control  
High current, switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STB140NF55  
STB140NF55-1  
STP140NF55  
B140NF55  
B140NF55  
P140NF55  
PAK  
PAK  
Tape & reel  
Tube  
TO-220  
Tube  
March 2007  
Rev 4  
1/15  
www.st.com  

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