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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 483K | |
描述 | ||
N-channel 55V - 0.0065ヘ - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-262AA | 包装说明: | TO-262, I2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.69 |
雪崩能效等级(Eas): | 1300 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.008 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB140NF55T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A TO-220/D2PAK STripFET II POWER MOSFET | |
STB140NF75 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/ | |
STB140NF75-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/ | |
STB140NF75T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 75V - 0.0065 - 120A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET | |
STB141NF55 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK | |
STB141NF55-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK | |
STB14N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.400 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET, | |
STB14NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-22 | |
STB14NF10_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/ | |
STB14NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.115ヘ - 15A - D2PAK/TO-220/ |