是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1200 V |
最大漏源导通电阻: | 0.69 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB12-N-2 | TE |
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STB12-N-3 | TE |
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STB12-N-4 | TE |
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STB12-N-5 | TE |
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STB12-N-6 | TE |
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STB12N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK p |
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STB12-N-7 | TE |
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STB12-N-8 | TE |
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STB12-N-9 | TE |
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STB12NK80Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power |
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